软硬件协同设计、低功耗设计、可制造涉及、可靠性设计技术；系统级芯片、关键IP核、EDA工具设计技术；系统解决方案设计技术。

2. 集成电路大规模生产工艺技术

主要技术内容：

12英寸65nm、45/40nm、32//28nm成套公益平台开发；模拟、数模混合、MEMS、射频、功率器件等特色工艺技术。

3. 集成电路封装测试技术

主要技术内容：

芯片级封装（CSP）、原片级封装（WLP）、多芯片封装（MCP）、多元件封装（MCO）、系统级封装（SiP）、硅穿孔技术（TSV）、高密度三维封装等先进封装技术及先进测试技术。

4. 集成电路专用设备及材料技术

主要技术内容：

刻蚀机、离子注入机、外延炉、平坦化设备、自动化封装系统等关键设备开发；12英寸硅片、绝缘体上硅（SOI）材料、引线框架、光刻胶等关键材料开发。

5. 高压大功率电力电子器件工艺技术

主要技术内容：

高压大功率IGBT、FRD、MOSFET等电力电子期间的结构设计、前道制造工艺、后道薄片工艺技术；器件少子寿命控制技术、可靠性和鲁棒性相关技术；IPM模块的设计技术、封装技术。

（二）平板显示

1. TFT-LCD共性技术

主要技术内容：

进一步提升液晶面板的透过率和开口率，增加产品的附加值；加快高效节能背光源的研发和应用，在确保产品性能的前提下，简化生产工序，降低生产成本。注重玻璃基板、偏光片、驱动IC等高世代TFT-LCD相关配套材料的技术开发。

2. PDP共性技术

主要技术内容：

围绕高光效技术（高能效、低成本）、高清晰度技术（3D、动态清晰度、超高清晰度）以及超薄技术方面进行相关技术研发；研究新材料、新工艺、新驱动波形、新型驱动电路与控制软件技术来提高PDP产品性能。

3. 有机发光显示器OLED共性技术

主要技术内容：

中大尺寸PM-OLED发光技术；大尺寸AM-OLED相关技术和工艺集成；高性能有机发光材料、蒸镀设备、掩模板及驱动IC等技术。

4. 先进背板技术

主要技术内容：

准分子激光退火(ELA)技术；金属诱导晶化(MIC)技术；固相结晶化(SPC)技术；氧化物TFT技术。以低温多晶硅（LTPS）和氧化物TFT为重点的先进背板技术的研发与应用。LPTS以准分子激光退火（ELA）技术、金属诱导晶化（MIC）技术、固相结晶化（SPC）技术为主；氧化物以背板沟道刻蚀型（BCE）为主以低温多晶硅（LTPS）和氧化物TFT为重点的先进背板技术的研发与应用。LPTS以准分子激光退火（ELA）技术、金属诱导晶化（MIC）技术、固相结晶化（SPC）技术为主；氧化物以背板沟道刻蚀型（BCE）为主。