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揭榜挂帅 | 面向全国发榜！北京市开展车规级芯片科技攻关“揭榜挂帅”
来源: | 作者:4SHQ | 发布时间: 677天前 | 6375 次浏览 | 分享到:

关于发布2023年度车规级芯片科技攻关“揭榜挂帅”项目榜单的通知


为保障整车供应链安全，推动国产芯片产业发展，市科委、中关村管委会，面向国内征集车规级芯片科技攻关项目，积极吸引京外相关行业的企业来京落地发展，本次征集采用“揭榜挂帅”形式进行，现将具体事项通知如下：

一、组织方式

本批次科技攻关项目，由市科委、中关村管委会按照市政府的工作部署，梳理行业共性需求，凝练形成榜单任务，向社会发榜征集揭榜团队，并对揭榜项目组织评审，择优予以经费支持。

二、申报要求

1.项目均需由企业牵头组成揭榜团队开展“揭榜挂帅”科技攻关，每个揭榜团队的组成单位原则上不超过4家，允许京外主体报名，2023年9月30日前完成在京注册法人单位后立项拨款。各参与单位需具备完善健全的管理制度，符合《北京市科技计划项目（课题）管理办法》（京科资发〔2023〕43号）有关要求，对申报材料的真实性和完整性负责，并符合市科委、中关村管委会的科技信用评价等级要求，签订《承诺书》(附件2)。

2.鼓励企业与高校、院所等开展产学研合作，组成创新联合体开展揭榜攻关，填报的《项目申报简表》《项目实施方案》(附件3、4)需对榜单任务需求全覆盖，具有科学、合理、明确的研究内容、技术路线及考核指标，且应用示范具备可行性、保障性；经费预算编制应当真实、合理，符合《北京市科技计划项目（课题）经费管理办法》（京财科文〔2021〕1822号）有关要求，配套经费与市级科技经费比例不低于1：1。

3.揭榜团队对任务分工、考核要求、经费拨付方式和成果归属等进行具体约定，并突出榜单任务目标，集中优势资源，全力开展限时攻关；项目任务执行要破除唯论文、唯职称、唯学历、唯奖项的倾向，注重标志性成果的质量、贡献和影响力；揭榜团队设负责人1名，符合《北京市科技计划项目（课题）管理办法》（京科资发〔2023〕43号）有关要求。

4.揭榜团队项目攻关取得的科技成果需在国家新能源汽车技术创新中心承认或指定的整车企业场景下进行测试；项目综合绩效评价将由市科委、中关村管委会，采用第三方评估和测试等方式开展，如有需要可现场核查；由于主观不努力等因素导致攻关失败的，将按照有关规定严肃追责，并依规纳入诚信记录。

5.项目征集结束后，市科委、中关村管委会将组织专家对申报材料进行评审与论证，根据项目技术成熟度、可量产性、揭榜团队综合能力、成果指标响应度等因素，择优选择揭榜团队，明确立项的芯片、项目组织和支持方式。

6.项目在申报、评审过程中，揭榜团队及参与人应严格落实公平竞争原则，不得以任何形式探听其他申报主体及评审专家信息，不得请托游说评审专家，不得进行可能影响评审公正性的活动。

三、申报说明

采用网上申报形式，申报单位填报《项目申报简表》（附件 3）、《项目实施方案》（附件 4），签订《承诺书》（附件 2），将电子版及带章扫描版（附件 2 仅提供带章扫描版）打包发送至xnyqczx1@kw.beijing.gov.cn（邮件标题为“车规级芯片-任务名称-牵头单位名称”），发送后请电话确认。申报时间截至2023年4月16日（星期日）14:00。联系人：赵老师、刘老师，联系电话：010—55577792、010—62328977-6015。


附件：

1.车规级芯片科技攻关“揭榜挂帅”项目申报榜单

2.承诺书格式

3.项目申报简表格式

4.项目实施方案格式

北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会

2023年3月27日


附件1


车规级芯片科技攻关“揭榜挂帅”项目申报榜单
一
需求目标

为保障整车供应链安全，推动国产芯片产业发展，市科委、中关村管委会围绕国产车规级芯片搭载应用，按照“揭榜挂帅”组织形式，面向各类创新主体征集科研攻关项目，现发布2023年度车规级芯片科技攻关“揭榜挂帅”项目申报榜单。揭榜团队可以选择榜单中的一种或多种芯片任务进行揭榜。

二
基本功能性能、封装形式、交付物、项目周期要求
01
MCU类 新一代车双内核异构中央网关控制MCU芯片

功能性能：

新一代车内中央网关设计的高性能车规级汽车芯片，采用双内核异构设计，包含高性能Cortex-A55 CPU内核及双核锁步的高可靠Cortex-R5内核，在承载未来网关丰富的应用同时，也能满足高功能安全级别和高可靠性的要求。支持多种外设接口，包括PCIe、USB3.0接口，同时具有丰富的以太网，CAN-FD和LIN等传输接口。在此基础上，具有包处理引擎, 在非常低的CPU占用率的情况下，可实现不同接口之间的高流量、低延迟的数据交换。内置HSM，包含真随机数发生器和高性能加解密引擎，支持AES、RSA、ECC、SHA及多种国密算法，满足安全启动，OTA、V2X等多种未来车载安全应用的需求。可以支持创新的跨域融合解决方案，为客户提供面向未来中央计算平台的无缝衔接。

A核数：≥6个A55（或等效算力） 二级缓存≥ 128KB

A核主频：每个核主频≥ 1.4GHz

A核算力：≥20K DMIPS

实时核架构：3个实时核锁步

实时核主频：每个核主频≥ 600M

最大实时核心数：每个核独立算力≥1.6K DMIPS

SRAM：≥8M

Memory(DDR)：≥4GB LPDDR4/DDR3L

CAN(CAN-FD)：≥20路

LIN：≥10路

PCIe 3.0：≥2路

USB：≥1个3.0接口

SPI：≥8路

ADC：≥4路12bit

UART：≥2路

Ethernet：支持不少于2个以太网端口（MII/RGMII）、 支持TSN协议族（IEEE 802.1AS、802.1Qbu、802.1Qav）

支持OSPI FLASH/QSPI FLASH启动。

支持EMMC启动。

支持HSM。

封装形式：BGA(尺寸不大于22mm(长)* 22mm(宽)* 4mm(高))

功能安全等级：ASIL-B

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +105°C）。

交付物：满足考核指标的用量500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册、底层软件、中间件接口）和评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥20片工程样品（Engineer Sample）及底层软件、中间件接口的交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过650万元。

02
MCU类 一种通用性车规级MCU

功能性能：

该产品具有丰富的Flash容量和接口资源，符合ISO26262功能安全ASIL-B，支持AUTOSAR并提供MCAL及配置工具，支持SHE，支持加密通信，支持RTC，支持浮点单元，支持OTA升级。

算力：≥400DMIPS

主频：≥120MHz

DMA channels: ≥32

PFlash：≥2048KB

DFlash：≥128KB

SRAM：≥256KB

PWM定时器：≥6路

CAN（CAN-FD）：≥4路

LIN：≥4路

SPI：≥3路

I2C：≥1个

ADC：≥48-ch.12bit

GPIO: ≥100

电源供电：2.7V ~ 5.5V

休眠电流：≤200mA(可唤醒)

正常工作电流：≤50mA。

封装形式：LQFP 144

功能安全等级：ASIL-B

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）。

交付物：满足考核指标的用量500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）和评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥20片工程样品（Engineer Sample）及底层软件交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

03
 模拟类 一种具有自适应多级 MOSFET 栅极控制H桥驱动芯片

功能性能：

8路 MOSFET桥，驱动器可以驱动多达 16 个外部 n 沟道 MOSFET（8通道半桥预驱），支持电源防反功能，提供输出过流、开路、短电源、短地诊断功能。

自适应多级 MOSFET 栅极控制，具有2 个可配置增益的灵活电流检测放大器（低侧、高侧能力和双向）24 位串行外设接口，用于反向电池保护的集成双级泵，用于硬短路检测的漏源监测，用于软短路检测的电流检测监控，过温警告和关机，超时看门狗，通过 SPI 进行详细的断态诊断（负载开路、电池短路或 GND 短路），3 x PWM 输入（高达 25kHz），能够续流、睡眠模式低电流消耗。

正常工作的电源电压范围：6.0V ~ 28V

扩展电源电压范围：5.5V ~ 28V

电源电压瞬变转换率：上升/下降速率不低于10V/µs

逻辑电源电压：3.0V ~ 5.5V

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

绝对最大额定值:

电源电压：-0.3V ~ 40V

PWM输入电压：-0.3V ~ 40V

逻辑输入电压：-0.3V ~ vdd+0.3V

电流检测放大器的同相输入、反相输入电压：-0.8V ~ 8V

栅极驱动器动态预充电时间：150ns ~ 250ns

栅极驱动器动态预放电时间：150ns ~ 250ns

封装形式：QFN-48

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）、评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

04
模拟类 具有大驱动带诊断和嵌入式保护功能的高边开关芯片

功能性能：

单通道高边驱动，具有诊断和嵌入式保护功能的高边开关。VS具有欠压检测功能。支持过流保护功能。

工作电压（MOS开启电压）VS(OP)：≥4.1 V

工作电压（启动）VS(UV)：≥3.1 V

工作电压VS：≤28 V

过电压保护 VDSCLAMP：≥35 V

休眠模式下的电流 (TJ = 85 °C) IVS：≤0.6 µA

最大工作电流 IGND：4 mA

最大导通电阻 (TJ = 150 °C) RDSON：2.47 mΩ

标称负载电流 (TA = 85 °C) IL(NOM)：30 A

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：TSDSO-24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

05
模拟类 带电流检测模拟反馈单通道高边驱动芯片

功能性能：

单通道智能高边驱动器，带电流检测模拟反馈、非常低的待机电流、兼容 3.0 V 和 5 V CMOS诊断功能过载和对地短路（电源限制）指示热关断指示，OFF 状态开路负载检测、输出对 VCC 检测短路、感应启用/禁用、保护支持欠压关断、过压钳位、负载电流限制。

瞬态电源电压VCC：≤40 V

工作电压范围VCC：4 V~ 28 V

导通电阻（每通道）RON：≤4 mΩ

待机电流（最大值）ISTBY：0.5 µA

标称负载电流 (TA = 85 °C) IL(NOM)：15A。

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：TSDSO-24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过200万元。

06
模拟类 可配置的多通道高/低边驱动芯片

功能性能：

一种汽车专用继电器、LED驱动芯片，具有2路固定的高边驱动器和6个路高边、低边可配置的驱动器。支持阻性、感性和容性负载接入。支持接地短路、负载开路、过流、过热检测诊断与保护。8路驱动器支持SPI对通道独立管理配置，预留2路并行GPIO通道，用于冗余SPI总线和配置控制使用。

逻辑电路电源支持 3.3 V 和 5 V、VBATT 和漏极引脚上具有反向电池保护，无需外部保护、SPI接口支持菊花链链接。

启动电压VBAT：6V ~ 28V
    逻辑电源电压：3.3V/5V

休眠电流：≤0.2mA

导通电阻（每通道）RON：≤0.75Ω（25℃）、≤1.5Ω（150℃）

驱动电流（每通道）：≥500mA

支持2路PWM，频率1kHz

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：SSOP24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过200万元。

07
模拟类 8通道完全可配置高/低侧 MOSFET 预驱动芯片

功能性能：

一种适用于12 V 和 24 V 系统中的预驱动器芯片，该芯片最多支持8路通道，可通过SPI总线对每路通道进行高边或低边的功能配置，达到对MOSFET控制目的。配置高边预驱动需要支持N沟道、P沟道MOS，低边预驱动需要支持N沟道MOS，可配置为2个H桥、峰值和保持支持2个负载。

独立64个可编程过流阈，可实现对栅极充电/放电电流调节。支持外部MOS漏极至源极电压、过流检测、支持外部分流电阻上的电压检测功能。每个通道值、过流情况下超快速输出关断功能，支持独立可配置PWM即使在诊断读取期间发生故障，锁存故障信息。

支持H桥配置的电流限制，32位SPI协议可用于配置和诊断，提供可配置的通信检查(CC)看门狗定时器。支持菊花链操作、 过压保护、用于逻辑操作的内置自检、提供可配置的通信检查 (CC) 看门狗定时器。通过专用 SPI 寄存器进行高度冗余的输出监控，利用 ADC链路可以通过 SPI 进行电源和芯片温度测量。

正常工作电压范围：3.8V ~ 36V

极限工作电压范围：1V ~ 80V

逻辑电源电压：3.3V/5V

极限逻辑电源电压：-0.3V ~ 40V

输出预驱动器电压VSNGP、VGNSP、VDRN（每通道）：-14 V ~ 60V

电压瞬变转换率：上升/下降速率≥5V/µs  

PWM频率（每通道）：≥1.5MHz

PWM占空比（每通道）：可配置

上电系统响应时间：100ns ~ 700ns

POR 复位延迟时间：10ms ~ 40ms

SPI总线速率：≥10MHz

封装形式：TQFP64

功能安全等级：ASIL-B

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册及相关驱动）。评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过500万元。

08
 模拟类 全面保护的低边驱动器芯片

功能性能：

具有静电防护、过压钳位、热关断、电流和功率限制。

漏极电流：≥3.5A

待机电流：≤3mA（125℃）

工作电源电压：3.5V ~ 5.5V

导通电阻Ron：≤32mΩ

漏源钳位电压：41V ~ 52V

漏源钳位阈值电压：≥36V

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：SOP-8

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：提交满足考核指标的用量1500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）和评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过200万元。

09
 模拟类 电子驻车制动的电子双路H桥预驱动器

功能性能：

    内置集成2个高边和低边栅极预驱动器，可支持外接4个功率MOSFET,并可以通过SPI总线进行独立可编程与监控。内置集成6个具有低偏移量、高精度增益全差分放大器，对HS/LS电流源进行监控。在PWM模式控制下可通过漏源和栅源电压监控来防止过流。内置不低于6个独立的ADC通道用于电机电流和电压的测量。具有自带CRC功能的SPI总线管理通道，带宽32bit速率10MHz。支持冗余电源A/B电源输入，并对独立电源域进行监控。支持4个通用I/O(GPIO)，支持9个软件可配置GPIO完成输入/输出通用I/O(唤醒源输出、故障输出等)。支持看门狗功能并且定时器可配，支持防反接保护、支持唤醒。

    系统输入电压范围：3.3V ~ 40V

    系统输入电容范围：≤10 F

    系统休眠模式下，唤醒电流范围：10 A（环境温度-25℃），100 A（环境温度-105℃）

    冗余逻辑供电：

        逻辑输入3.3V电压范围：2.5V ~ 3.5V

        逻辑I/O( 逻辑输入、输出)3.3V电流范围：≤4mA

        逻辑输入5V电压范围：4.7V ~ 5.3V

    故障诊断：

        系统欠压临界电压范围：5.35V ~ 5.6V

        系统欠压迟滞电压范围：10mV ~ 100mV（典型值50mV）

        欠压报故障滤波时间：20s ~ 47s/1ms ~ 2ms（软件可配置）

        系统过压临界电压范围：30V ~ 32V

        系统过压滤波关闭时间范围：3.8ms ~ 4.2ms

        过压报故障滤波时间范围：3.8ms ~ 4.2ms

    系统阈值滞后电压范围：4V ~ 5V

    检测功能电压范围：27V

Tj温度：-40 ~ +150℃。

封装形式：LQFP64

功能安全等级：ASIL D

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40 ℃~ +125℃）。

交付物：提交满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）和评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100颗芯片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2025年1月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过600万元。

010
电源类 四路摄像头电源保护器

功能性能：

支持4路 600mA 保护开关、3V ~ 15V输入电源、3V ~5.5V器件工作电源、26 V电池短路隔离、可调电流限制（100mA~ 600mA）、用于更高电流的并行多通道，可配I2C地址，支持0.5ms软启动、0.25ms软关断、0.3μA关断电流、300mA时电压降为 110mV，支持并联使用、支持中断信号输出。安全应用方面，兼容ASIL-B，对 VBAT/GND 诊断短路、输出过压/欠压诊断、输入过压/欠压诊断、过流诊断、过温诊断、通过I2C读取各路8位电流、输出电压和供电读数、发生故障时自动重试。

输入电压范围：3V ~ 15V

可调节电流限制：100mA ~ 600mA

欠压迟滞：150mA

限流精度每通道：±8%

软启动时间：≤0.5ms

软关断时间：≤0.25ms

休眠电流：≤0.3μA

欠压锁定：2.7V

IIC总线频率：≥1MHz

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：TSDSO-20

功能安全等级：ASIL-B

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）和评估板。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过250万元。

011
电源类 具有低静态电流双路同步降压控制器

功能性能：

具有低静态电流3.5V ~ 65V双路同步降压控制器、用于大电流单输出或双输出的控制器。支持过流保护、独立的 ENABLE 和 PGOOD功能、VCC、VDDA和栅极驱动 UVLO保护、带滞后的热关断保护。支持同步输入和同步输出、支持SSC。

输入电压范围：3.5 V ~ 65 V

输出电压范围：3.3V、5V及0.6 ~ 55 V可调

开关频率范围：100 kHz ~ 2.2 MHz

导通时间：≤35ns

关断时间：≤100ns

关断模式电流：≤4 μA

空载待机电流：≤15 μA

环路补偿1：557mV/μs（RRT = 10 kΩ）；

环路补偿2：64mV/μs（RRT = 100 kΩ）；

软启动电流：≤28μA

软启动下拉电阻：2Ω ~ 4Ω

抖动源电流/灌电流：21µA

抖动高电平阈值：1.25V

抖动低电平阈值：1.15V

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：VQFN-40

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1500片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板。提供具有AEC-Q100检测资质-40°C ~ +150°C的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。