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揭榜任务：面向多类金融风险检测及分析的复杂计算场景，研究基于量子计算架构的金融风险分析控制新范式，研发风险模型相关的量子机器学习、随机模拟、组合优化、图计算等算法，突破金融风险算力瓶颈，完成理论优势论证及端到端资源分析，实现真机部署上线。

预期目标：到2026年，研发量子金融专用算法及量子启发式算法不少于5种，实现典型风控应用5种以上，提出不少于5种相比传统算法具有多项式级复杂度加速功能的算法，并实现理论证明。基于金融机构真实场景数据在硬件上部署验证不少于3种。

附件2

原子级制造揭榜挂帅任务榜单

一、核心基础

（一）原子层沉积工艺仿真平台

揭榜任务：原子层沉积是能源、化工和高端电子器件领域的关键核心工艺。当前新工艺摸索周期长成本高，材料生长质量难以控制。因此需发展高精度仿真技术，耦合各原子尺度与介观尺度仿真方法，模拟真实生长/刻蚀过程中前驱体分子与基底的反应过程，沉积/刻蚀过程及后退火过程。通过仿真研究不同前驱体、反应温度和压力等工艺参数对薄膜沉积质量的影响，优化工艺参数。利用仿真结果预测沉积薄膜的结构、电子性质和机械性能，为新工艺探索提供指导。

预期目标：到2026年，面向Si/SiO₂等衬底的高介电常数氧化物的原子级沉积，如Hf(Zr)O₂，Al₂O₃，开发ALD仿真平台，包含吸附、脱附模块，材料生长模块，薄膜质量评估模块等。平台能够实现10nm厚10万原子秒级时间材料生长模拟，模拟的关键工艺参数不少于3个。对ALD生长速度的计算准确度达到90%以上，大深宽比（10:1）沉积的台阶覆盖度预测准确度达到90%以上。

（二）异质多晶材料的原子级平坦化工艺研究

揭榜任务：面向微电子元器件异质互连结构、多晶材料等的原子级精度制造需求，建立能量限域调控作用下异质、多晶材料表面原子级抛光和亚表面损伤层控制技术，发展原子尺度制造过程的原位动态表征方法，形成宏观尺度互连异质表面原子层去除一致控制的抛光工艺、技术与装备，实现4英寸及以上尺寸的典型材料原子级抛光和亚表面近零损伤控制。

考核指标：到2026年，实现4英寸及以上尺寸的典型材料表面原子级精度及亚表面近零损伤制造与原位动态表征，针对典型异质、多晶材料的原子级抛光，实现表面粗糙度Ra小于2Å，亚表面损伤层≤20层原子，单次制造幅面10×10μm内面形精度优于10Å，原位动态观测与表征的空间分辨率优于1Å。

（三）面向原子级对准的原子层沉积工艺研究

揭榜任务：面向先进节点的对准结构制造套刻误差比重增大、可靠性下降问题，发展表面区域选择性钝化与活化改性的选区沉积技术，突破非生长区表面形核缺陷选择性去除技术，形成先进互连介电层表面电介质材料高可靠性、精简步骤选区沉积工艺与技术。