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3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过200万元。

功能性能：

一种汽车专用继电器、LED驱动芯片，具有2路固定的高边驱动器和6个路高边、低边可配置的驱动器。支持阻性、感性和容性负载接入。支持接地短路、负载开路、过流、过热检测诊断与保护。8路驱动器支持SPI对通道独立管理配置，预留2路并行GPIO通道，用于冗余SPI总线和配置控制使用。

逻辑电路电源支持 3.3 V 和 5 V、VBATT 和漏极引脚上具有反向电池保护，无需外部保护、SPI接口支持菊花链链接。

启动电压VBAT：6V ~ 28V
    逻辑电源电压：3.3V/5V

休眠电流：≤0.2mA

导通电阻（每通道）R_ON：≤0.75Ω（25℃）、≤1.5Ω（150℃）

驱动电流（每通道）：≥500mA

支持2路PWM，频率1kHz

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：SSOP24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过200万元。

功能性能：

一种适用于12 V 和 24 V 系统中的预驱动器芯片，该芯片最多支持8路通道，可通过SPI总线对每路通道进行高边或低边的功能配置，达到对MOSFET控制目的。配置高边预驱动需要支持N沟道、P沟道MOS，低边预驱动需要支持N沟道MOS，可配置为2个H桥、峰值和保持支持2个负载。

独立64个可编程过流阈，可实现对栅极充电/放电电流调节。支持外部MOS漏极至源极电压、过流检测、支持外部分流电阻上的电压检测功能。每个通道值、过流情况下超快速输出关断功能，支持独立可配置PWM即使在诊断读取期间发生故障，锁存故障信息。

支持H桥配置的电流限制，32位SPI