）及底层软件交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

功能性能：

8路 MOSFET桥，驱动器可以驱动多达 16 个外部 n 沟道 MOSFET（8通道半桥预驱），支持电源防反功能，提供输出过流、开路、短电源、短地诊断功能。

自适应多级 MOSFET 栅极控制，具有2 个可配置增益的灵活电流检测放大器（低侧、高侧能力和双向）24 位串行外设接口，用于反向电池保护的集成双级泵，用于硬短路检测的漏源监测，用于软短路检测的电流检测监控，过温警告和关机，超时看门狗，通过 SPI 进行详细的断态诊断（负载开路、电池短路或 GND 短路），3 x PWM 输入（高达 25kHz），能够续流、睡眠模式低电流消耗。

正常工作的电源电压范围：6.0V ~ 28V

扩展电源电压范围：5.5V ~ 28V

电源电压瞬变转换率：上升/下降速率不低于10V/µs

逻辑电源电压：3.0V ~ 5.5V

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

绝对最大额定值:

电源电压：-0.3V ~ 40V

PWM输入电压：-0.3V ~ 40V

逻辑输入电压：-0.3V ~ vdd+0.3V

电流检测放大器的同相输入、反相输入电压：-0.8V ~ 8V

栅极驱动器动态预充电时间：150ns ~ 250ns

栅极驱动器动态预放电时间：150ns ~ 250ns

封装形式：QFN-48

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）、评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

功能性能：

单通道高边驱动，具有诊断和嵌入式保护功能的高边开关。VS具有欠压检测功能。支持过流保护功能。