工作电压（MOS开启电压）VS(OP)：≥4.1 V

工作电压（启动）VS(UV)：≥3.1 V

工作电压VS：≤28 V

过电压保护 VDS_CLAMP：≥35 V

休眠模式下的电流 (T_J = 85 °C) IVS：≤0.6 µA

最大工作电流 IGND：4 mA

最大导通电阻 (T_J = 150 °C) R_DSON：2.47 mΩ

标称负载电流 (T_A = 85 °C) IL(NOM)：30 A

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：TSDSO-24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C ~ +125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片/产品。

3.2024年12月底前完成芯片量产（SOP）及相关测试报告。

榜单金额：不超过400万元。

功能性能：

单通道智能高边驱动器，带电流检测模拟反馈、非常低的待机电流、兼容 3.0 V 和 5 V CMOS诊断功能过载和对地短路（电源限制）指示热关断指示，OFF 状态开路负载检测、输出对 VCC 检测短路、感应启用/禁用、保护支持欠压关断、过压钳位、负载电流限制。

瞬态电源电压VCC：≤40 V

工作电压范围VCC：4 V~ 28 V

导通电阻（每通道）R_ON：≤4 mΩ

待机电流（最大值）I_STBY：0.5 µA

标称负载电流 (T_A = 85 °C) IL(NOM)：15A。

结温(Tj) ：-40°C ~ +150°C

封装形式：TSDSO-24

功能安全等级：QM

可靠性等级：通过AEC-Q100车规级产品测试（工作温度范围区间在-40°C~+125°C）。

交付物：满足考核指标的用量1000片样片，并提供使用说明书（至少含芯片数据手册、用户手册、功能安全手册）。评估板以及相关软件驱动。提供具有AEC-Q100检测资质的第三方测试报告。

项目周期：

1.2023年12月前完成≥100片工程样品（Engineer Sample）及相关软件驱动交付。

2.2024年10月底前完成提交满足考核指标数量要求的工程样片